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研究者データベース

詳細
後藤　民浩
ゴトウ　タミヒロ
理工学基盤部門
教授
Last Updated :2024/03/29

研究者基本情報

研究者

  • 氏名

    後藤　民浩, ゴトウ　タミヒロ

基本情報

  • 研究者氏名（日本語）

    後藤, 民浩

  • 研究者氏名（カナ）

    ゴトウ, タミヒロ

  • プロフィール

    カルコゲナイド半導体の作製と光・電子物性の研究を行なっています。相変化記録に用いられるGe2Sb2Te5、金属硫化物であるSnS、Cu-Sなどの薄膜試料をスパッタ法や真空蒸着法により作製します。硫化物については原料となる物質を試験管中で硫黄ガス熱処理し、多様な物質群の作製を試みています。試行錯誤の中からある条件下でCu-Sが特異的に樹枝状成長することを見出しました。SEM観察により相似形状が確認でき、ナノフラクタル半導体として新しい機能を持つ可能性があります。このようにカルコゲナイド材料は、組み合わせの多様性と作製の容易さからユニークな研究を実施できます。半導体薄膜に存在するギャップ内凖位を特殊な構造、前処理の必要もなく、非破壊で評価可能な光熱偏向分光法を開発しています。励起光、プローブ光の最適化を進めるとともに赤外線に対応した光学系に改良し、高感度・長波長領域の光熱偏向分光装置を実現しました。

使用外国語

  • 発表に使用する外国語

    英語

  • 執筆に使用する外国語

    英語

所属

  • 群馬大学, 大学院理工学府, 准教授
  • 群馬大学, 大学院理工学府, 教授

学歴

  • 1994年04月, 1996年03月, 岐阜大学大学院, 工学研究科, 電子情報工学専攻（博士前期課程）
  • 1996年04月, 1998年09月, 岐阜大学大学院, 工学研究科, 電子情報システム工学専攻（博士後期課程）
  • 1990年04月, 1994年03月, 岐阜大学, 工学部
  • 1994年, 岐阜大学

学位

  • 博士（工学）
  • 博士（工学）

所属学協会

  • 応用物理学会
  • 応用物理学会ランダム系フォトエレクトロニクス研究会

経歴

  • 1998年10月, 2005年04月, 北海道大学, 工学研究科, 助手, 研究・教育補助者相当
  • 1998年04月, 1998年09月, 日本学術振興会特別研究員
  • 2005年05月, 2020年09月, 群馬大学, 大学院理工学府, 准教授, 准教授・常勤専任講師相当
  • 1998年, 2005年
  • 2020年10月, 9999年, 群馬大学, 大学院理工学府, 教授, 教授相当

研究活動情報

研究分野

  • ナノテク・材料, 無機材料、物性
  • ナノテク・材料, 応用物性
  • ナノテク・材料, 結晶工学
  • ナノテク・材料, 応用物理一般

研究キーワード

  • カルコゲナイド物質
  • 相変化現象
  • 光熱偏向分光法
  • アモルファス半導体
  • ナノフラクタル構造
  • アモルファス半導体走査プローブ顕微鏡光熱変換分光法

論文

  • The role of arsenic in the operation of sulfur-based electrical threshold switches, Renjie Wu, Rongchuan Gu, Tamihiro Gotoh, Zihao Zhao, Yuting Sun, Shujing Jia, Xiangshui Miao, Stephen R. Elliott, Min Zhu, Ming Xu & Zhitang Song, 2023年09月29日, Nature Communications, 14, 6095, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Quantitative evaluation of low-concentration OH impurities in quartz glass by infrared photothermal deflection spectroscopy, Tamihiro Gotoh, Min Zhu, 2023年07月21日, Japanese Journal of Applied Physics, 62, 071004, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Screening Switching Materials with Low Leakage Current and High Thermal Stability for Neuromorphic Computing, Renjie Wu, Shujing Jia, Tamihiro Gotoh, Qing Luo, Zhitang Song, Min Zhu, 2022年04月03日, Advanced Electronic Materials, 2200150, 2200150(7)
    DOI
  • 赤外光熱偏向分光法による相変化メモリ材料の局在準位評価, 後藤民浩, 2022年02月15日, 固体物理, SOLID STATE PHYSICS, 57, 2, 23, 30
  • Elemental electrical switch enabling phase segregation–free operation, Jiabin Shen, Shujing Jia, Nannan Shi, Qingqin Ge, Tamihiro Gotoh, Shilong Lv, Qi Liu, Richard Dronskowski, Stephen R.Elliott, Zhitang Song, Min Zhu, 2021年12月09日, Science, 374, 6573, 1390, 1394
    DOI
  • Ultrahigh drive current and large selectivity in GeS selector, Shujing Jia; Huanglong Li; Tamihiro Gotoh; Christophe Longeaud; Bin Zhang; Juan Lyu; Shilong Lv; Min Zhu; Zhitang Song; Qi Liu; John Robertson; Ming Liu, 2020年09月, Nature Communications, 11, 4636, 4636(9), 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Effect of heat treatments on the electronic properties of indium sulfide films, Tamihiro Gotoh, 2020年04月, Eur. Phys. J. Appl. Phys., 89
    DOI
  • Defect absorption in selenium films by photothermal deflection spectroscopy, Tamihiro Gotoh, 2020年03月, Eur. Phys. J. Appl. Phys., 89, 10301
    DOI
  • Defect Absorption in Ge2Sb2Te5 Phase-Change Films, Tamihiro Gotoh, 2020年01月, Phys. Status Solidi B, Phys. Status Solidi B, 257, 1900278, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • 自主性を育む物理実験の実践, 後藤 民浩; 高橋 浩; 平井 光博, 2019年, 大学の物理教育, 25, 38, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Copper Sulfide Dendrites Prepared by Sulfur Gas Heat Treatment of Copper, Tamihiro Gotoh, 2017年12月, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 214, 12, 1700621, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Control of carrier concentration in SnS films by annealing with S and Sn, Tamihiro Gotoh, 2016年07月, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 213, 7, 1869, 1872, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Effect of annealing on carrier concentration in Ge2Sb2Te5 films, Tamihiro Gotoh, 2014年07月, CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS, 92, 44385.0, 681, 683, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Electrical Properties of SnS Films Deposited by Thermal Evaporation of Sulfurized Sn Powder, Tamihiro Gotoh; Kosuke Yazawa; Kento Imai, 2014年, ADVANCED MICRO-DEVICE ENGINEERING IV, 596, 21, 25, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • 相変化材料の特性コントラストの起源, 後藤 民浩, 2014年, ニューガラス, 29, 1, 18, 22
  • 光熱偏向分光法による相変化薄膜の評価, 後藤 民浩, 2014年, セラミックデータブック, 42, 96, 86, 88
  • Electrical Properties of DC-sputtered Amorphous InGaZnO4 Films, Kenji Kaneda; Tamihiro Gotoh, 2013年, ADVANCED MICRO-DEVICE ENGINEERING III, 534, 36, 39, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • Sub-gap absorption study of amorphous InGaZnO4 films by photothermal deflection spectroscopy, Tamihiro Gotoh; Kenji Kaneda, 2012年09月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 358, 17, 2450, 2452, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Sub-gap states in Ge2Sb2Te5 phase change films, Tamihiro Gotoh, 2012年09月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 358, 17, 2366, 2368, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Sub-gap absorption study of SnS films deposited by thermal evaporation of sulfurized Sn powder, Tamihiro Gotoh, 2012年, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 12, 9, 12, 2407, 2410, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • Effect of Annealing on Sub-Gap Absorption in Amorphous InGaZnO(4) Films, T. Gotoh; K. Kawarai; H. Wakabayashi; K. Kaneda, 2011年, SILICON SCIENCE AND ADVANCED MICRO-DEVICE ENGINEERING I, 459, 19, 22, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • Improvement of Crystallization Rate in Post-Annealed Ge(2)Sb(2)Te(5) Films, Kenta Kawarai; Tamihiro Gotoh, 2011年, SILICON SCIENCE AND ADVANCED MICRO-DEVICE ENGINEERING I, 459, 23, 26, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • The study of structural changes of amorphous Ge2Sb2Te5 films after annealing by optical absorption spectroscopy, Tamihiro Gotoh; Kenta Kawarai, 2010年03月, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 207, 3, 639, 641, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Nanoscale Characterization of Microcrystalline Silicon Solar Cells by Scanning Near-Field Optical Microscopy, Tamihiro Gotoh; Yoshiki Yamamoto; Zhenhua Shen; Shunsuke Ogawa; Norimitsu Yoshida; Takashi Itoh; Shuichi Nonomura, 2009年09月, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 48, 9, 91202, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Photothermal technique using individual cantilevers for quality monitoring in thin film devices, Tamihiro Gotoh, 2009年07月, REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 80, 7, 074902-1, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Characteristics at high electric fields in amorphous Ge2Sb2Te5 films, Tamihiro Gotoh, 2008年05月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 354, 19-25, 2728, 2731, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Localized oxidation influence from conductive atomic force microscope measurement on nano-scale I-V characterization of silicon thin film solar cells, Zhenhua Shen; Mototaka Eguchi; Tamihiro Gotoh; Norimitsu Yoshida; Takashi Roh; Shuichi Nonornura, 2008年01月, THIN SOLID FILMS, 516, 5, 588, 592, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Study of nano-scale electrical properties of hydrogenated microcrystalline silicon solar cells by conductive atomic force microscope, Zhenhua Shen; Tamihiro Gotoh; Mototaka Eguchi; Norimitsu Yoshida; Takashi Itoh; Shuichi Nonomura, 2007年05月, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46, 5A, 2858, 2864, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • いかに興味をもたせるか, 後藤 民浩, 2006年, 大学の物理教育, 大学の物理教育, 12, 150
    DOI
  • Nano-scale phase changes in Ge-Sb-Te films with electrical scanning probe microscopes, K Tanaka; T Gotoh; K Sugawara, 2004年12月, JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 6, 4, 1133, 1140, 研究論文（学術雑誌）
  • Minimal phase-change marks produced in amorphous Ge2Sb2Te5 films, T Gotoh; K Sugawara; K Tanaka, 2004年06月, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 43, 6B, L818, L821, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Nanoscale phase change in telluride films induced with scanning tunneling microscopes, K Sugawara; T Gotoh; K Tanaka, 2004年05月, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 43, 5B, L676, L679, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • 相変化型DVD―その発展と将来―, 菅原 健太郎; 田中 啓司; 後藤 民浩, 2004年, 応用物理, 73, 7, 910, 916
    DOI
  • Scanning tunneling microscope modifications of amorphous Ge-Sb-Te films, K Sugawara; T Gotoh; K Tanaka, 2003年10月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 326, 37, 41, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Nanoscale electrical phase-change in GeSb2Te4 films with scanning probe microscopes, T Gotoh; K Sugawara; K Tanaka, 2002年04月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 299, 968, 972, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Chalcogenide-glass microlenses for optical fibers, A Saitoh; T Gotoh; K Tanaka, 2002年04月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 299, 983, 987, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Photothermal deflection spectroscopy of chalcogenide glasses, K Tanaka; T Gotoh; N Yoshida; S Nonomura, 2002年01月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 91, 1, 125, 128, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Scanning tunneling microscope modifications of amorphous Ge-Sb-Te films, K Sugawara; T Gotoh; K Tanaka, 2002年, XIIITH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NON-OXIDE GLASSES AND NEW OPTICAL GLASSES PTS 1 AND 2, 398, 400, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • Scanning tunneling nanolithography of amorphous GeSb2Te4 films, K Sugawara; T Gotoh; K Tanaka, 2001年09月, APPLIED PHYSICS LETTERS, 79, 10, 1549, 1551, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Photoinduced surface deformations in ion-conducting Ag-As-S glasses. I. Isotropic deformations produced by small light spots, T Gotoh; K Tanaka, 2001年05月, Journal of Applied Physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 89, 9, 4697, 4702, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Photoinduced surface deformations in ion-conducting Ag-As-S glasses. II. Anisotropic deformation produced by large light spots, T Gotoh; K Tanaka, 2001年05月, Journal of Applied Physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 89, 9, 4703, 4706, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Chalcogenide-glass microlenses attached to optical-fiber end surfaces, A Saitoh; T Gotoh; K Tanaka, 2000年12月, OPTICS LETTERS, 25, 24, 1759, 1761, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • The light-induced metastable lattice expansion in hydrogenated amorphous silicon, S Nonomura; N Yoshida; T Gotoh; T Sakamoto; A Matsuda; S Nitta, 2000年05月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 266, 474, 480, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • A study on the correlation between the photoinduced volume expansion and the internal stress in hydrogenated amorphous silicon, T Sakamoto; N Yoshida; H Harada; T Kishida; S Nonomura; T Gotoh; M Kondo; A Matsuda; T Itoh; S Nitta, 2000年05月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 266, 481, 485, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Photoinduced anisotropy in the ion-conducting amorphous semiconductor Ag-As-S, T Gotoh; H Hayakawa; K Tanaka, 2000年05月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 266, 944, 947, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Laser processing of convex structures in chalcogenide glasses, T Gotoh; K Tanaka, 2000年, 1ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON LASER PRECISION MICROFABRICATION, 4088, 351, 354, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • Anisotropic patterns formed in Ag-As-S ion-conducting amorphous semiconductor films by polarized light, K Tanaka; T Gotoh; H Hayakawa, 1999年10月, APPLIED PHYSICS LETTERS, 75, 15, 2256, 2258, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • レーザー光てこ−ベンディング法による薄膜半導体の光吸収係数とa-Si:H薄膜の光誘起体積変化の測定, 野々村修一; 後藤民浩; 西尾基; 坂元智成; 仁田昌二, 1999年, 固体物理, 34, 6, 519, 525
  • Photoinduced expansion in hydrogenated amorphous silicon, S Nonomura; T Gotoh; M Nishio; T Sakamoto; M Kondo; A Matsuda; S Nitta, 1999年, AMORPHOUS AND HETEROGENEOUS SILICON THIN FILMS: FUNDAMENTALS TO DEVICES-1999, 557, 337, 345, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • Photo-induced structure metastability and the Staebler and Wronski effect in a-Si : H, DX Han; T Gotoh; M Nishio; T Sakamoto; S Nonomura; S Nitta; Q Wang; E Iwaniczko; H Mahan, 1999年, NCPV PHOTOVOLTAICS PROGRAM REVIEW, 462, 260, 265, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • 光熱ベンディング分光法, 後藤 民浩, 1999年, 応用物理, 68, 10, 1162, 1163
    DOI
  • Chalcogenide glasses: What is the future?, K. Tanaka; T. Gotoh, 1999年, Romanian Reports in Physics, 51, 189, 196
  • Temperature dependence of the optical-absorption edge in C-60 thin films, T Gotoh; S Nonomura; H Watanabe; S Nitta; DX Han, 1998年10月, PHYSICAL REVIEW B, 58, 15, 10060, 10063, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Optical and electrical properties of nano-crystalline GaN thin films and their application for thin-film transistor, S Kobayashi; S Nonomura; K Ushikoshi; K Abe; M Nishio; H Furukawa; T Gotoh; S Nitta, 1998年06月, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, 749, 752, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Experimental evidence of photoinduced expansion in hydrogenated amorphous silicon using bending detected optical lever method, T Gotoh; S Nonomura; M Nishio; S Nitta; M Kondo; A Matsuda, 1998年06月, APPLIED PHYSICS LETTERS, 72, 23, 2978, 2980, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Detection of photoinduced structural change in a-Si : H by bending effect, T Gotoh; S Nonomura; M Nishio; N Masui; S Nitta; M Kondo; A Matsuda, 1998年05月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 227, 263, 266, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Photoluminescence study of nano-crystalline GaN and AlN grown by reactive sputtering, K Abe; S Nonomura; S Kobayashi; M Ohkubo; T Gotoh; M Nishio; S Nitta; S Okamoto; Y Kanemitsu, 1998年, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 227, 1096, 1100, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Correlation of stress with photo-degradation in hydrogenated amorphous silicon prepared by hot-wire CVD, DX Han; T Gotoh; M Nishio; T Sakamoto; S Nonomura; S Nitta; Q Wang; E Iwaniczko, 1998年, THIN-FILMS - STRESSES AND MECHANICAL PROPERTIES VII, 505, 445, 450, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • Changes of infrared absorption by light soaking and thermal quenching in a-Si:H, T Gotoh; S Nonomura; S Hirata; N Masui; S Nitta, 1997年12月, SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 49, 44200.0, 13, 18, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Photothermal bending spectroscopy and photothermal deflection spectroscopy of C-60 thin films, T Gotoh; S Nonomura; S Hirata; S Nitta, 1997年04月, APPLIED SURFACE SCIENCE, 113, 278, 281, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Optical properties of amorphous indium nitride films and their electrochromic and photodarkening effects, M Ohkubo; S Nonomura; H Watanabe; T Gotoh; K Yamamoto; S Nitta, 1997年04月, APPLIED SURFACE SCIENCE, 113, 476, 479, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Optical and electrical properties of amorphous and microcrystalline GaN films and their application to transparent TFT, S Kobayashi; S Nonomura; T Ohmori; K Abe; S Hirata; T Uno; T Gotoh; S Nitta; S Kobayashi, 1997年04月, APPLIED SURFACE SCIENCE, 113, 480, 484, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • Electrical and optical properties of nano-crystalline GaN and nano-crystalline GaN : H thin films, S Kobayashi; S Nonomura; K Abe; T Gotoh; S Hirata; S Nitta; Y Kanemitsu, 1997年, AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY - 1997, 467, 373, 378, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI
  • Photothermal bending spectroscopy: Bending effect of film/substrate by thermal expansion, T Gotoh; S Nonomura; S Hirata; S Nitta, 1996年12月, PROGRESS IN NATURAL SCIENCE, 6, S34, S37, 研究論文（学術雑誌）
  • Radiative recombination quantum efficiencies of a-Si:H and C-60 films by photothermal deflection spectroscopy, S Nonomura; T Gotoh; M Kawade; S Nitta, 1996年12月, PROGRESS IN NATURAL SCIENCE, 6, S18, S21, 研究論文（学術雑誌）
  • Photoconductive a-GaN prepared by reactive sputtering, S Nonomura; S Kobayashi; T Gotoh; S Hirata; T Ohmori; T Itoh; S Nitta; K Morigaki, 1996年05月, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 200, 174, 177, 研究論文（学術雑誌）
    DOI
  • 1996年, 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHOTOACOUSTIC AND PHOTOTHERMAL PHENOMENA, CONFERENCE DIGEST, 6, 333, 334, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
  • 光熱偏向分光法, 野々村修一; 後藤民浩; 仁田昌二, 1994年, 応用物理, 応用物理, 63, 10, 1043, 1044
    DOI

MISC

  • 新しいガラスの魅力, 後藤民浩, 2007年, 桐生タイムス
  • 古くて新しいガラス, 後藤民浩, 2005年, 群馬経済新聞社
  • ナノスケール相変化記録～メモリーはどこまで高密度化できるか？～, 後藤民浩, 2005年, HiKaLo技術情報誌, 19
  • 樹枝状硫化銅の作製〜フラクタルと新機能〜, 後藤民浩, 2018年, HiKaLo技術情報誌, 17, 4, 8
  • Photothermal vibration spectroscopy: The bending effect of the film by thermal expansion, T Gotoh; S Nonomura; H Watanabe; S Nitta, 1996年, 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHOTOACOUSTIC AND PHOTOTHERMAL PHENOMENA, CONFERENCE DIGEST, 381, 382, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議）

書籍等出版物

  • Andrei Andriesh Homage Book, K. Tanaka; T. Gotoh, INOE&INFM Publishing House, 1999年

講演・口頭発表等

  • Localized levels of amorphous chalcogenide films evaluated by infrared photothermal deflection spectroscopy, Tamihiro Gotoh, 第35回相変化研究会, 2023年11月17日, 熱海, 日本国
  • 赤外光熱偏向分光法によるGe2Sb2Te5薄膜のギャップ内準位評価, 後藤民浩, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日
  • Sn-Se蒸着膜の光学的・電気的性質, 飯田碧、多胡秀斗、後藤民浩, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月23日
  • 光熱偏向分光法によるSb-Te薄膜のギャップ内準位評価, 後藤民浩、澤田航、飯田碧, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月23日, 2023年09月19日, 2023年09月23日, 日本語, 熊本市
  • 透過・反射分光法によるGe2Sb2Te5薄膜の屈折率評価, 後藤民浩, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日
  • 反射分光法によるアモルファスセレン薄膜の評価, 後藤 民浩, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月22日
  • Localized states of Ge2Sb2Te5 films evaluated by infrared photothermal deflection spectroscopy, Tamihiro Gotoh, 第33回 相変化研究会シンポジウム, 2021年11月18日, 2021年11月18日, 2021年11月18日, 英語
  • 光熱偏向分光法による熱処理セレン薄膜の評価, 後藤民浩, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  • 相変化メモリ・セレクタ材料の局在準位評価 , 後藤民浩; Min Zhu, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月17日
  • 硫化ゲルマニウム薄膜の電子物性と局在準位評価 , 黒岩 昌悟; 後藤 民浩, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月16日
  • アモルファスセレン薄膜の欠陥準位評価, 後藤 民浩; 黒岩 昌悟, 2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月08日
  • Ge2Sb2Te5 薄膜のギャップ内準位とキャリア特性, 後藤 民浩, 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月13日
  • セレン薄膜のサブギャップ光吸収ピーク, 後藤民浩, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月20日
  • Control of carrier density in indium sulfide films by heat treatment, T. Gotoh, 28th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2019年08月06日
  • Optical properties of copper sulfide dendrites, T. Gotoh, 28th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2019年08月06日
  • Photothermal deflection spectroscopy of selenium films, T. Gotoh, 28th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2019年08月05日
  • 樹枝状硫化銅の光吸収スペクトル, 後藤民浩; 西川遼太郎, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月10日
  • Ge2Sb2Te5薄膜の近赤外吸収, 後藤民浩, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月19日
  • 樹枝状硫化銅の作製, 後藤民浩; 廣瀬宏樹; 西川遼太郎, 第65回応用物理学会学術講演会, 2018年03月20日
  • 熱処理による硫化インジウム薄膜のキャリア制御, 後藤民浩, 第78回秋季応用物理学会学術講演会, 2017年09月08日
  • Se薄膜のサブギャップ光吸収スペクトル, 後藤民浩, 第64回応用物理学会学術講演会, 2017年03月15日
  • 熱処理による硫化物半導体の特性制御, 後藤民浩, 平成28年度プロセス研究会講演会, 2016年10月01日
  • 硫化インジウム薄膜のギャップ内準位評価, 後藤民浩, 第77回秋季応用物理学会学術講演会, 2016年09月15日
  • SnS薄膜のキャリア濃度の制御, 後藤民浩, 第63回応用物理学会関係連合講演会, 2016年03月22日
  • 相変化薄膜の特性コントラスト, 後藤民浩, 平成27年度プロセス研究会講演会, 2015年10月17日
  • Effects of annealing on the carrier concentration of SnS films, T. Gotoh; K. Yazawa, 26th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2015年09月14日
  • 硫化銅薄膜のギャップ内準位評価, 後藤民浩, 第62回応用物理学会関係連合講演会, 2015年03月12日
  • 硫黄ガス熱処理によるSnS薄膜の特性変化, 矢澤広祐; 後藤民浩, 第62回応用物理学会関係連合講演会, 2015年03月12日
  • 熱処理によるGe2Sb2Te5薄膜のキャリア濃度変化, 後藤民浩, 第61回応用物理学会関係連合講演会, 2014年03月19日
  • Sub-gap states in In-S films deposited by thermal evaporation, T. Gotoh; K. Yazawa, 5th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, 2013年12月19日
  • n型ワイドギャップIn-S薄膜の光吸収スペクトル, 後藤民浩; 今井健人; 矢澤広祐, 第74回秋季応用物理学会学術講演会, 2013年09月
  • Effect of annealing on carrier density in Ge2Sb2Te5 films, T. Gotoh, 25th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2013年08月20日
  • SnS蒸着膜の電気伝導特性, 後藤民浩; 矢澤広祐; 今井健人, 第60回応用物理学会関係連合講演会, 2013年03月
  • Electrical Properties of SnS Films by Thermal Evaporation of Sulfurized Sn Powder, T. Gotoh; K. Yazawa; K. Imai, 4th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, 2012年12月07日
  • SnS半導体薄膜の作製とギャップ内準位の評価, 後藤民浩, 高機能セラミック薄膜のプロセス研究会, 2012年10月
  • SnS蒸着膜のギャップ内準位評価, 後藤民浩, 第73回秋季応用物理学会学術講演会, 2012年09月
  • Sub-gap Absorption Study of SnS Films Deposited by Thermal Evaporation of Sulfurized Sn Powder, T. Gotoh, Fifth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 2012年06月06日
  • Ge2Sb2Te5相変化薄膜の熱起電力特性, 後藤民浩; 金田健児, 第59回応用物理学会関係連合講演会, 2012年03月
  • 直流スパッタ法によるアモルファスInGaZnO4薄膜の作製と熱処理効果, 金田健児; 後藤民浩, 第59回応用物理学会関係連合講演会, 2012年03月
  • Electrical Properties of dc-sputtered Amorphous InGaZnO4 Films, K. Kaneda; T. Gotoh, 3rd International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, 2011年12月08日
  • 直流スパッタ法によるアモルファスInGaZnO4薄膜の作製と評価, 金田健児; 後藤民浩, 第3回薄膜太陽電池セミナー, 2011年10月
  • 光熱偏向分光法による相変化薄膜のギャップ内準位の評価, 後藤民浩, 高機能セラミック薄膜のプロセス研究会, 2011年09月
  • 光熱偏向分光法によるGe2Sb2Te5薄膜のギャップ内準位の評価, 後藤民浩, 第72回秋季応用物理学会学術講演会, 2011年08月
  • Sub-gap states in Ge2Sb2Te5 phase change films, T. Gotoh, 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2011年08月
  • Sub-gap absorption study of amorphous InGaZnO4 films by photothermal deflection spectroscopy, T. Gotoh; K. Kaneda, 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2011年08月
  • 直流スパッタ法によるアモルファスInGaZnO4薄膜の作製と熱処理効果, 金田健児; 柿沼匠; 笠原俊; 後藤民浩, 第58回応用物理学会関係連合講演会, 2011年03月
  • Ge2Sb2Te5薄膜のサブギャップ光吸収, 後藤民浩, 第58回応用物理学会関係連合講演会, 2011年03月
  • Photoconductive properties of dc sputtered amorphous InGaZnO4 films, K. Kaneda; T. Gotoh, 2nd International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, 2010年12月
  • シリコン系薄膜太陽電池のナノスケール接合評価, 後藤民浩, 第2回薄膜太陽電池セミナー, 2010年11月
  • 薄膜シリコン太陽電池のナノスケール接合評価, 後藤民浩, 高機能セラミック薄膜のプロセス研究会, 2010年11月
  • 熱処理によるGe2Sb2Te5薄膜の構造変化III, 後藤民浩; 川原井健太, 第71回秋季応用物理学会学術講演会, 2010年09月
  • 熱処理によるGe2Sb2Te5薄膜の構造変化I, 川原井健太; 後藤民浩, 第57回応用物理学会関係連合講演会, 2010年03月
  • 熱処理によるGe2Sb2Te5薄膜の構造変化II, 後藤民浩; 川原井健太, 第57回応用物理学会関係連合講演会, 2010年03月
  • Ge2Sb2Te5薄膜の高速結晶化 ―熱処理効果―, 川原井健太; 後藤民浩, 群馬大学平成21年度ATEC第9回談話会, 2010年01月
  • 導電性プローブによるナノスケール相変化記録, 後藤民浩, 日本顕微鏡学会走査型プローブ顕微鏡分科会平成21年度研究会, 2009年12月15日
  • Improvement of crystallization rate in post-annealed Ge2Sb2Te5 films, K. Kawarai; T. Gotoh, 1st International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, 2009年12月
  • Sub-gap absorption in InGaZnO4 films, T. Gotoh; K. Kawarai; H. Wakabayashi; K. Kaneda, 1st International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, 2009年12月
  • Ge2Sb2Te5薄膜の光吸収スペクトル, 後藤民浩, 高機能セラミック薄膜の創製と物性に関する研究会, 2009年10月
  • Optical properties of post-annealed Ge2Sb2Te5 films, T. Gotoh; K. Kawarai, European Phase Change and Ovonics Symposium, 2009年09月
  • Optical absorption study of structural changes of Ge2Sb2Te5 films after annealing, T. Gotoh; K. Kawarai, 23rd International conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2009年08月
  • アモルファスGe2Sb2Te5薄膜の結晶化速度−熱処理効果−, 川原井健太; 後藤民浩, 第56回応用物理学会関係連合講演会, 2009年03月31日
  • アモルファスGe2Sb2Te5薄膜の結晶化速度－熱処理効果－, 川原井健太; 後藤民浩, 第56回応用物理学会関係連合講演会, 2009年03月19日
  • アモルファスGe2Sb2Te5薄膜の高電界現象, 後藤民浩; 川原井健太, 平成20年度ATEC研究成果報告会, 2009年03月19日
  • Nanoscale crystallization in Ge2Sb2Te5 films using conductive AFM, T. Gotoh, Lab Visit: Discussion and Seminar at Utrecht University, 2009年
  • Nanoscale characterization of thin-film silicon solar cells, T. Gotoh, Lab Visit: Discussion and Seminar at RWTH Aachen University, 2009年
  • アモルファスGe2Sb2Te5薄膜の結晶化速度, 平成20年度ATEC研究成果報告会, 2009年
  • アモルファスGe2Sb2Te5薄膜の高電界現象のモデル, 後藤民浩, 第55回応用物理学会関係連合講演会, 2008年03月
  • Nano-area I-V characteristics in thin film solar cells, S. Nonomura; T. Gotoh; T. Itoh, 4th Workshop on the future direction of photovoltaics, 2008年03月
  • Nano-scale characterization of microcrystalline silicon solar cells by scanning nearfield optical microscopy, T. Gotoh; Y. Yamamoto; Z. Shen; S. Ogawa; N. Yoshida; T. Itoh; S. Nonomura, 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2007年12月
  • 近接場光学顕微鏡によるSi系薄膜太陽電池のナノスケール接合評価, 山本 芳樹; 後藤 民浩; 市川 裕之; 川上 知宏; 小川 俊輔; 吉田 憲充; 野々村 修一, 第54回応用物理学会関係連合講演会, 2007年09月
  • Characteristics at high electric fields in amorphous Ge2Sb2Te5 films, T. Gotoh, 22nd International conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, 2007年08月
  • 近接場光学顕微鏡によるa-Si:H薄膜太陽電池のナノスケール発電評価, 山本芳樹; 後藤民浩; 沈振華; 小川俊輔; 吉田憲充; 野々村修一, 第54回応用物理学会関係連合講演会, 2007年03月
  • Localized oxidation influence of conductive atomic force microscope measurements on nano-scale I-V characterization of silicon thin film solar cells, Zhenhua Shen; M. Eguchi; T. Gotoh; N.Yoshida; T.Itoh; S. Nonomura, 4th International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, 2006年10月
  • Ge-Sb-Te薄膜の電気相変化過程, 後藤民浩, 高機能セラミック薄膜の創製と物性に関する研究会, 2006年09月
  • Ge2Sb2Te5薄膜の高電界現象, 後藤民浩, 応用物理学会, 2006年03月
  • ナノスケール電気相変化記録, 後藤民浩, 高機能セラミック薄膜の創製と物性に関する研究会, 2005年11月
  • 相変化メモリーの基礎, 後藤民浩, 第32回アモルファスセミナー, 2005年11月
  • Nano-scale I-V characterization of uc-Si:H solar cell by Conductive Atomic Force Microscope, Zhenhua Shen; M. Eguchi; S. Ogawa; T. Gotoh; K.Sato; T.Itoh; N.Yoshida; S. Nonomura, International Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2005年10月
  • ナノスケール電気相変化記録, 後藤民浩, 高機能セラミック薄膜の創製と物性に関する研究会, 2005年08月
  • AFMによるGe2Sb2Te5結晶薄膜へのナノスケール電気相変化記録, 佐藤秀幸; 菅原健太郎; 後藤民浩; 田中啓司, 第52回応用物理学会関係連合講演会, 2005年03月
  • ナノスケール電気相変化, 後藤民浩, 第31回アモルファス物質の物性と応用セミナー, 2004年11月
  • STMとAFMによる電気相変化の特性比較, 菅原健太郎; 後藤民浩; 田中啓司, 第62回秋季応用物理学会学術講演会, 2004年09月
  • Nanoscale phase changes in Ge-Sb-Te films with AFM and STM, K. Tanaka; T. Gotoh; K. Sugawara, 6th Solid State Chemistry 2004, 2004年09月
  • 走査型プローブ顕微鏡によるナノスケール電気相変化記録, 後藤民浩; 菅原健太郎; 田中啓司, 第30回アモルファス物質の物性と応用セミナー, 2003年12月
  • STMによるGe2Sb2Te5アモルファス薄膜の表面変形, 菅原健太郎; 後藤民浩; 田中啓司, 第61回秋季応用物理学会学術講演会, 2003年09月
  • 電気相変化記録の微小極限サイズ, 後藤民浩; 菅原健太郎; 田中啓司, 第50回応用物理学会関係連合講演会, 2003年03月
  • Scanning tunneling microscope modifications of amorphous Ge-Sb-Te films, K. Sugawara; T. Gotoh; K. Tanaka, 13th International symposium on non-oxide glasses and new optical glasses, 2002年09月
  • 原子間力顕微鏡によるGeSb2Te4薄膜へのナノスケール電気相変化記録, 後藤民浩; 菅原健太郎; 田中啓司; 大石健司, 第62回応用物理学会学術講演会, 2001年09月
  • 相変化電気メモリー：STM, AFMタイプ, 後藤民浩, 第62回秋季応用物理学会学術講演会, 2001年09月
  • Nanoscale electrical phase-change in GeSb2Te4 films with scanning probe microscopes, T. Gotoh; K. Sugawara; K. Tanaka, 19th International conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, 2001年08月
  • Chalcogenides-glass microlenses for optical fibers, A. Saitoh; T. Gotoh; K. Tanaka, 20th International conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, 2001年08月
  • STMによるGeSb2Te4薄膜の微細加工, 菅原健太郎; 後藤民浩; 田中啓司; 大石健司, 第48回応用物理学会関係連合講演会, 2001年03月
  • 光ファイバー端面付着型As2S3マイクロレンズ, 斎藤全; 後藤民浩; 田中啓司, 第61回秋季応用物理学会学術講演会, 2000年09月
  • GeSb2Te4薄膜の微細加工(STM、AFM), 後藤民浩; 菅原健太郎; 佐々木政嗣; 田中啓司; 大石健司, 第61回応用物理学会学術講演会, 2000年09月
  • Ag-As-Sガラスの光誘起変形, 後藤民浩; 田中啓司, 第47回春季応用物理学関係連合講演会, 2000年03月
  • Laser processing of convex structures in chalcogenide glasses, T. Gotoh; K. Tanaka, The First International Symposium on Laser Precision Microfabrication, 2000年
  • Ag-As-Sガラスの巨大光膨張, 後藤民浩; 田中啓司, 第60回秋季応用物理学会学術講演会, 1999年09月
  • Photoinduced anisotropy in the ion-conducting amorphous semiconductor Ag-As-S, T. Gotoh; H. Hayakawa; K. Tanaka, 18th International conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, 1999年08月
  • A study on the correlation between the photoinduced volume expansion and the internal stress in hydrogenated amorphous silicon, T. Sakamoto; N. Yoshida; H. Harada; T. Kishida; S. Nonomura; T. Gotoh; M. Kondo; A. Matsuda; T. Itoh; S. Nitta, 19th International conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, 1999年08月
  • The light induced metastable lattice expansion in hydrogenated amorphous silicon, S. Nonomura; N. Yoshida; T. Gotoh; T. Sakamoto; M. Kondo; A. Matsuda; S. Nitta, 18th International conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, 1999年08月
  • Ag-As-Sガラスの光誘起異方性のメカニズム（1）, 早川秀樹; 後藤民浩; 田中啓司, 第46回春季応用物理学関係連合講演会, 1999年03月
  • Ag-As-Sガラスの光誘起異方性のメカニズム（2）, 後藤民浩; 早川秀樹; 田中啓司, 第47回春季応用物理学関係連合講演会, 1999年03月
  • Photoinduced expansion in hydrogenated amorphous silicon, S. Nonomura; T. Gotoh; M. Nishio; T. Sakamoto; S. Nitta, Materials Research Society Symposium, 1999年
  • a-Si:Hの光誘起体積変化-uc-Si:Hを含む水素希釈率依存性-, 後藤民浩; 近藤道雄; 西尾基; 青野祐美; 野々村修一; 伊藤貴司; 松田彰久; 仁田昌二, 第45回春季応用物理学関係連合講演会, 1998年03月
  • a-Si:Hの光誘起体積変化-?c-Si:Hを含む水素希釈率依存性-, 後藤民浩; 近藤道雄; 西尾基; 青野祐美; 野々村修一; 伊藤貴司; 松田彰久; 仁田昌二, 第45回春季応用物理学関係連合講演会, 1998年03月
  • Correlation of stress with photo-degradation in hydrogenerated amorphous silicon prepared by hot-wire CVD, Daxing Han; T. Gotoh; M. Nishio; S. Nonomura; S. Nitta; Q. Wang; E. Iwaniczko, Materials Research Society Symposium, 1998年
  • ベンディング法によるa-Si:Hの光誘起構造変化の評価, 後藤民浩; 西尾基; 野々村修一; 仁田昌二; 近藤道雄; 松田彰久, 第24回アモルファス物質の物性と応用セミナー, 1997年11月
  • 光熱ベンディング分光法によるa-Si:Hの光誘起構造変化の観察, 西尾基; 後藤民浩; 青野祐美; 桝井直継; 伊藤貴司; 野々村修一; 仁田昌二, 第58回秋季応用物理学会学術講演会, 1997年10月
  • ベンディング効果によるa-Si:Hの光誘起構造変化の評価, 後藤民浩; 近藤道雄; 西尾基; 青野祐美; 野々村修一; 伊藤貴司; 松田彰久; 仁田昌二, 第58回秋季応用物理学会学術講演会, 1997年10月
  • Sensitive detection of photoinduced structural change in a-Si:H by bending effect, T. Gotoh; S. Nonomura; M. Nishio; N. Masui; S. Nitta; M. Kondo; A. Matsuda, 17th International conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, 1997年08月
  • Photoluminescence study of nanocrystalline GaN and AlN by reactive sputtering, K. Abe; S. Nonomura; S. Okamoto; Y. Kanemitsu; S. Kobayashi; M. Ohkubo; T. Gotoh; M. Nishio; S. Nitta, 17th International conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, 1997年08月
  • 高次フラーレンの薄膜作製とその性質, 大森貴志; 渡辺英樹; 後藤民浩; 西尾基; 野々村修一; 伊藤貴司; 仁田昌二, 第13回フラーレン総合シンポジウム, 1997年07月
  • Localized states related to oxygen molecules intercalated into C70 films, H. Habuchi; D. Han; S. Nitta; T. Itoh; T. Gotoh; S. Nonomura, The 3rd International Workshop in Russia, Fullerenes and Atomic Clusters, 1997年06月
  • a-Si:Hの光誘起構造変化(1)-光熱ベンディング分光法による弾性率の変化-, 桝井直継; 後藤民浩; 近藤道雄; 野々村修一; 伊藤貴司; 岡本博明; 松田彰久; 仁田昌二, 第44回春季応用物理学関係連合講演会, 1997年03月
  • a-Si:Hの光誘起構造変化(2)-赤外光熱偏向分光法-, 後藤民浩; 平田聡; 桝井直継; 野々村修一; 伊藤貴司; 仁田昌二, 第44回春季応用物理学関係連合講演会, 1997年03月
  • Electrical and optical properties of nano-crystalline GaN and nano-crystalline GaN:H thin films, S. Kobayashi; S. Nonomura; K. Abe; T. Gotoh; S Hirata; S. Nitta; Y. Kanemitsu, Materials Research Society Symposium, 1997年03月
  • a-Si:Hの赤外吸収の観察(1)-赤外光熱ベンディング分光法の開発-, 後藤民浩; 平田聡; 桝井直継; 野々村修一; 伊藤貴司; 仁田昌二, 第57回秋季応用物理学会学術講演会, 1996年09月
  • a-Si:Hの赤外吸収の観察(2)-光照射と急速冷却効果-, 平田聡; 後藤民浩; 桝井直継; 野々村修一; 伊藤貴司; 仁田昌二, 第57回秋季応用物理学会学術講演会, 1996年09月
  • 高感度光熱振動分光法によるa-Si:Hの評価, 後藤民浩; 渡辺英樹; 野々村修一; 仁田昌二, 第43回春季応用物理学関係連合講演会, 1996年03月
  • Photothermal bending spectroscopy, T. Gotoh; S. Nonomura; S. Hirata; S. Nitta, 8th International conference on photoacoustic and photothermal phenomena, 1996年
  • Radiative recombination quantum efficiencies of a-Si:H and C60 films by photothermal deflection spectroscopy, S. Nonomura; T. Gotoh; M. Kawade; S. Nitta, 8th International conference on photoacoustic and photothermal phenomena, 1996年
  • Photothermal bending spectroscopy and photothermal deflection spectroscopy of C60 thin films, T. Gotoh; S. Nonomura; S. Hirata; S. Nitta, 8th International conference on solid film and surface, 1996年
  • Optical and electrical properties of amorphous and microcrystalline GaN films and their application to transparent TFT, S. Kobayashi; S. Nonomura; T. Ohmori; K. Abe; S. Hirata; T. Uno; T. Gotoh; S. Nitta, 9th International conference on solid film and surface, 1996年
  • Optical properties of amorphous indium nitride films and their electrochromic and photodarkening effects, M. Ohkubo; S. Nonomura; H. Watanabe; T. Gotoh; K. Yamamoto; S. Nitta, 10th International conference on solid film and surface, 1996年
  • Changes of infrared absorption by light soaking and thermal quenching in a-Si:H, T. Gotoh; S. Nonomura; N. Masui; S. Nitta, 9th International photovoltaic science and engineering conference, 1996年
  • アモルファスおよび微結晶GaN、InN薄膜の光学的性質, 後藤民浩; 小林智司; 大久保雅雄; 渡辺英樹; 平田聡; 野々村修一; 仁田昌二, 第7回日本MRS学術シンポジウム, 1995年12月
  • 光熱偏向分光法によるC60薄膜の輻射量子効率?の導出, 後藤民浩; 川出正也; 渡辺英樹; 野々村修一; 伊藤貴司; 仁田昌二, 第56回秋季応用物理学関係連合講演会, 1995年08月
  • 光熱偏向分光法および光透過法によるC60薄膜の光学吸収端の温度依存性, 後藤民浩; 川出正也; 渡辺英樹; 野々村修一; 伊藤貴司; 仁田昌二, 第9回フラーレン総合シンポジウム, 1995年07月
  • 低濃度B-doped a-Si:Hに対するPDSとCPM, 後藤民浩; 野々村修一; 伊藤貴司; 仁田昌二, 第42回春季応用物理学関係連合講演会, 1995年03月
  • C60薄膜における光学吸収端の温度依存性, 後藤民浩; 黒川崇; 守川正宏; 川出正也; 野々村修一; 伊藤貴司; 仁田昌二, 第42回春季応用物理学関係連合講演会, 1995年03月
  • a-Si:H薄膜における表面欠陥のPDSによる評価, 後藤民浩; 野々村修一; 伊藤貴司; 仁田昌二, 第55回秋季応用物理学関係連合講演会, 1994年09月

産業財産権

  • 特許権, 光熱分光法及び光熱分光装置, 後藤 民浩, 特願2008-50738, 2008年

受賞

  • ICANS26 Young Researcher Award, 2015年
  • 応用物理学会講演奨励賞, 1997年

教育活動情報

担当経験のある科目（授業）

  • 現代物理学インテンシブ, 群馬大学
  • 応用物理学特論, 群馬大学
  • 光物性物理学, 群馬大学
  • フォトエレクトロニクス入門, 群馬大学
  • 基礎物理実験, 群馬大学
  • 力学, 群馬大学
  • 物理学概論, 群馬大学
  • 応用物理学実験, 北海道大学

社会貢献活動情報

社会貢献活動

  • 日本学術振興会アモルファス・ナノ材料と応用 第147委員会（対象：研究者）

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